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西电举行“千人计划”入选者敖金平教授聘任仪式
时间:2016-09-21 11:02:47来源:微电子学院点击:

西电新闻网讯(通讯员 韩光)9月20日,第十二批国家“千人计划”创新人才长期项目入选者敖金平教授受聘仪式,在北校区东大楼221报告厅举行。西安电子科技大学副校长郝跃院士、校长助理高新波教授出席受聘仪式并讲话,人才办、微电子学院相关负责人和师生代表参加了受聘仪式。受聘仪式由微电子学院院长张玉明教授主持。

聘任仪式上,高新波简要介绍了敖金平教授的情况。郝跃院士宣读聘任文件,为敖金平教授颁发聘书、佩戴校徽并讲话。郝跃表示,敖金平博士长期从事半导体器件与集成电路领域工作,在半导体及半导体器件理论,化合物半导体器件和集成电路理论、制造工艺以及半导体器件的应用方面有较高的造诣和丰富的经验。尤其在半导体GaN器件、微波毫米波器件、增强型MOSFET、化学传感器和微波整流用肖特基二极管等方向取得了丰富的成果。他的加盟将对微电子学与固体电子学学科的发展起到积极的推动作用,将进一步加快西电科技成果转化,推进学校人才培养和科技创新。

敖金平在讲话表示,自其参加工作以来,一直从事微电子科学相关的研究工作,与西电微电子学院有较深的历史渊源和良好的合作基础。西电微电子学科有良好的办学基础、科研条件和社会声誉,加盟西电微电子学院是一个良好的机遇,自己一定抓住这次机遇,迎接挑战,从材料的基础研究入手,致力于器件结构的创新,实现高效微波整流用GaN肖特基二极管的产业化,力争在高性能基础元器件方面的科学研究实现新的突破。

受聘仪式结束后,敖金平教授做了题为《Development of Gallium Nitride Electron Devices》的学术报告,微电子学院一百余名师生聆听了报告会。

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敖金平,博士,1989年毕业于武汉大学物理系,获理学学士学位,1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位,2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任,高级工程师。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员,并于2003年11月起加入德岛大学。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。现任该大学大学院技术与科学研究部准教授,国内多家大学的兼职教授。在国际学术期刊和国际会议上发表论文130余篇,拥有包括可以直接在交流下工作的GaN LED单片阵列,晶体管型GaN紫外光探测器,微波整流用GaN肖特基势垒二极管和电能传输系统电路,GaN电子器件的制造工艺等多项发明专利。在微波GaN肖特基势垒二极管的研究开发方面,目前保持国际领先。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员,美国电气化学协会(ESC)会员,日本应用物理学(JSAP)会会员以及日本电子情报通信学会(IEICE)会员。

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西电举行“千人计划”入选者敖金平教授聘任仪式
发布时间:2016-09-21 11:02:47来源:微电子学院点击:我要评论: 0

西电新闻网讯(通讯员 韩光)9月20日,第十二批国家“千人计划”创新人才长期项目入选者敖金平教授受聘仪式,在北校区东大楼221报告厅举行。西安电子科技大学副校长郝跃院士、校长助理高新波教授出席受聘仪式并讲话,人才办、微电子学院相关负责人和师生代表参加了受聘仪式。受聘仪式由微电子学院院长张玉明教授主持。

聘任仪式上,高新波简要介绍了敖金平教授的情况。郝跃院士宣读聘任文件,为敖金平教授颁发聘书、佩戴校徽并讲话。郝跃表示,敖金平博士长期从事半导体器件与集成电路领域工作,在半导体及半导体器件理论,化合物半导体器件和集成电路理论、制造工艺以及半导体器件的应用方面有较高的造诣和丰富的经验。尤其在半导体GaN器件、微波毫米波器件、增强型MOSFET、化学传感器和微波整流用肖特基二极管等方向取得了丰富的成果。他的加盟将对微电子学与固体电子学学科的发展起到积极的推动作用,将进一步加快西电科技成果转化,推进学校人才培养和科技创新。

敖金平在讲话表示,自其参加工作以来,一直从事微电子科学相关的研究工作,与西电微电子学院有较深的历史渊源和良好的合作基础。西电微电子学科有良好的办学基础、科研条件和社会声誉,加盟西电微电子学院是一个良好的机遇,自己一定抓住这次机遇,迎接挑战,从材料的基础研究入手,致力于器件结构的创新,实现高效微波整流用GaN肖特基二极管的产业化,力争在高性能基础元器件方面的科学研究实现新的突破。

受聘仪式结束后,敖金平教授做了题为《Development of Gallium Nitride Electron Devices》的学术报告,微电子学院一百余名师生聆听了报告会。

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敖金平,博士,1989年毕业于武汉大学物理系,获理学学士学位,1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位,2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任,高级工程师。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员,并于2003年11月起加入德岛大学。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。现任该大学大学院技术与科学研究部准教授,国内多家大学的兼职教授。在国际学术期刊和国际会议上发表论文130余篇,拥有包括可以直接在交流下工作的GaN LED单片阵列,晶体管型GaN紫外光探测器,微波整流用GaN肖特基势垒二极管和电能传输系统电路,GaN电子器件的制造工艺等多项发明专利。在微波GaN肖特基势垒二极管的研究开发方面,目前保持国际领先。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员,美国电气化学协会(ESC)会员,日本应用物理学(JSAP)会会员以及日本电子情报通信学会(IEICE)会员。

责任编辑:田敬权
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