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【研途先锋】周久人:专注科研,享受乐趣
时间:2017-04-17 09:43:56来源:研究生院/研究生工作部点击:

前言:为落实贯彻《西安电子科技大学关于加强大学文化建设的实施意见》和学校宣传思想工作会议精神,继续将镜头对准基层,讲好“西电故事”,传承西电精神,党委宣传部、研究生院/研究生工作部、校团委等部门联合推出“研途先锋——向优秀同学学习”系列报道。该报道旨在挖掘西电研究生群体中的先进事迹,宣传我们身边的青春榜样,积极营造崇德向善、见贤思齐的浓厚氛围,让广大研究生行有示范、追有目标。欢迎各单位积极提供线索,我们将安排专人进行采访报道。联系人:卢毅,联系电话:88202308,邮箱:luyi@xidian.edu.cn

周久人:专注科研,享受乐趣

■通讯员 程珺

负电容晶体管是将具有负电容行为的铁电薄膜材料插入栅叠层中,可突破晶体管开关特性受玻尔兹曼统计分布影响这一根本性限制,可应用于具有超低功耗需求的大规模集成电路,在全世界集成电路普及的今天,具有重要的理论研究和实际应用价值。如此前沿且极具挑战性的研究课题,就是周久人在攻读博士学位期间的核心工作:超低功耗应用的负电容场效应晶体管研究。

周久人说:“在过去的50多年里,以MOS(金属氧化物半导体)晶体管为标志的微电子技术沿着摩尔定律取得了长足的发展,芯片单位面积晶体管数量约每18个月翻一番。然而随着晶体管特征尺寸缩小,其功耗无法对应降低,高功耗成为限制摩尔定律持续发展的主要瓶颈。负电容晶体管将铁电材料薄膜所具有的负电容效应集成于栅结构中,从而实现栅压放大并突破传统场效应晶体管亚阈值摆幅极限—60mV/decade。”

近几年来,世界各国的科学家通过理论研究和实验验证的方式,证实了负电容晶体管能实现标志低功耗特征的亚阈值摆幅小于60 mV/decade陡峭开关特性的可行性。但是,由于铁电薄膜材料的负电容特性机理极其复杂,仍面临负电容区域不稳定、设计规则不明确以及翻转频率极限等世界级难题,这也正是周久人目前所专注的研究课题。

周久人(左)在IEDM2016国际会议上与加州大学伯克利分校SayeefSalahuddin教授(右)合影

本期的研途先锋将走进微电子学院2015级博士研究生周久人。周久人师从郝跃院士和韩根全教授,目前,在郝跃院士团队的新型微纳米CMOS器件课题组做研究。2016年12月,周久人在2016年IEEE International Electron Devices Meeting(简称IEDM)上,口头报告了团队的最新研究论文《Ferroelectric HfZrOx Ge and GeSn PMOSFETs with Sub-60 mV/decade Subthreshold Swing, Negligible Hysteresis, and Improved IDS》。IEDM是国际微电子器件领域的顶级会议,也是IEEE旗下的两个王牌会议之一,在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力,被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。该研究论文在IEDM上发表,标志着西安电子科技大学在先进微电子器件研究领域正逐步走向世界前列。今天让我们共同聆听他的心路历程。

【人物故事】

从大学本科到攻读博士,这个重庆小伙已经在西电求学六余载,他本科期间多次获得学校奖学金以及“优秀学生干部”、“优秀毕业生”等荣誉称号,并以优异的成绩投入郝跃院士门下攻读博士,从此开始了他的科研之路。

谈到专业领域,周久人显得格外激动。他介绍道,摩尔定律推动了信息化现代的高速发展,而我所从事的研究正是摩尔定律延伸的脚步。2016年12月,我代表团队赴美国旧金山参加了国际电子器件会议IEDM2016,口头报告了我们团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)研究领域取得的突破性成果,研究成果引发了加州大学伯克利分校、东京大学以及台湾国立大学等单位相关研究组的极大兴趣,并进行了深入研讨。

厚积薄发,是对周久人同学最好的诠释。他脚踏实地,从熟悉各种实验设备、实验流程开始到真正将所学付诸于具体实验过程,历经了一年多的时间。这期间,他善于思考,勤于钻研,查阅了大量相关文献资料及研究成果,不断充实和完善自己的理论知识储备;在有所思,有所疑时,他经常与导师进行学术探讨,并从中获得研究思路与灵感。研究生期间,他成功申请了多项专利,参加多次国际学术会议,诸如第三届国际ALD应用会议暨2016届中国ALD大会等,并作口头报告。

他始终铭记郝跃院士的教诲“志存高远者必脚踏实地”,秉承不怕苦不怕累,踏实勤奋的工作劲头,埋头于实验中,常常忘记了时间熬夜到凌晨,出实验室才发现早已汗流浃背。然而,这些常人不愿忍受的枯燥与辛苦,带给他的却不是烦恼,反而从中获得了更多的科研乐趣。他享受其中,乐在其中。

【他人眼中】

自信幽默,踏实严谨。

在同窗好友张少航眼中,周久人是一个自信幽默却又不失严谨的“好战友”。生活中,他总是笑容满面,待人处事不卑不亢,性格幽默风趣,乐于助人,展现给大家一种积极阳光的姿态;科研时,周久人凭借自身深厚的专业知识储备和丰富的实验经验,能够深入思考,冷静处理和攻克在实验中遇到的问题和难关,在实验中发挥了先进带头作用。

【导师评价】

立志高远,踏实肯干。

郝跃院士的眼中,周久人是一个立志高远而又脚踏实地的学生。他评价到:“周久人同学有着高远的目标,敢于与学术前沿问题‘硬碰硬’,始终追求对当前研究水平的不断超越。关键是他在实验中不怕吃苦、踏实肯干和认真严谨的科研精神,更是他取得突破性科研成果的重要基石。”

【他这样说】

仰望星空,脚踏实地。

“海阔凭鱼跃,天高任鸟飞”立志高远,追求卓越,是我一直以来所坚持的信念。为自己树立更远大的目标,既不局限于眼前的事与物,也不满足于过去获得的成绩,追求梦想,期望站在更高水平的平台之上。然而,脚踏实地是实现追求的基础,做实验的过程中,需要耗费大量的体力与精力,熬夜到凌晨已经成为一种常态。我认为“耐得住,扛得住”是一名科研工作者的基本素质。只有一丝不苟地计划好每一道工序,踏踏实实地做好每一步实验,多读书,多思考,掌握新知识,开拓思维,才能真正有所进步。

提到获得的成绩,周久人同学谦虚地表示,成绩是团队共同合作的成果,他要做的还有很多。他非常诚恳地说道:“科研路上离不开恩师的指导,非常感谢我的导师郝跃院士高瞻远瞩的发展远见,他是引导我科研方向的指路明灯!同时,还要感谢课题组的韩根全老师和张春福老师在实验过程中给予的悉心指导和帮助,以及张进成老师对于实验项目的鼎力支持。我会脚踏实地,走好每一步,争取取得更多高水平的创新成果。”

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【研途先锋】周久人:专注科研,享受乐趣
发布时间:2017-04-17 09:43:56来源:研究生院/研究生工作部点击:我要评论: 0

前言:为落实贯彻《西安电子科技大学关于加强大学文化建设的实施意见》和学校宣传思想工作会议精神,继续将镜头对准基层,讲好“西电故事”,传承西电精神,党委宣传部、研究生院/研究生工作部、校团委等部门联合推出“研途先锋——向优秀同学学习”系列报道。该报道旨在挖掘西电研究生群体中的先进事迹,宣传我们身边的青春榜样,积极营造崇德向善、见贤思齐的浓厚氛围,让广大研究生行有示范、追有目标。欢迎各单位积极提供线索,我们将安排专人进行采访报道。联系人:卢毅,联系电话:88202308,邮箱:luyi@xidian.edu.cn

周久人:专注科研,享受乐趣

■通讯员 程珺

负电容晶体管是将具有负电容行为的铁电薄膜材料插入栅叠层中,可突破晶体管开关特性受玻尔兹曼统计分布影响这一根本性限制,可应用于具有超低功耗需求的大规模集成电路,在全世界集成电路普及的今天,具有重要的理论研究和实际应用价值。如此前沿且极具挑战性的研究课题,就是周久人在攻读博士学位期间的核心工作:超低功耗应用的负电容场效应晶体管研究。

周久人说:“在过去的50多年里,以MOS(金属氧化物半导体)晶体管为标志的微电子技术沿着摩尔定律取得了长足的发展,芯片单位面积晶体管数量约每18个月翻一番。然而随着晶体管特征尺寸缩小,其功耗无法对应降低,高功耗成为限制摩尔定律持续发展的主要瓶颈。负电容晶体管将铁电材料薄膜所具有的负电容效应集成于栅结构中,从而实现栅压放大并突破传统场效应晶体管亚阈值摆幅极限—60mV/decade。”

近几年来,世界各国的科学家通过理论研究和实验验证的方式,证实了负电容晶体管能实现标志低功耗特征的亚阈值摆幅小于60 mV/decade陡峭开关特性的可行性。但是,由于铁电薄膜材料的负电容特性机理极其复杂,仍面临负电容区域不稳定、设计规则不明确以及翻转频率极限等世界级难题,这也正是周久人目前所专注的研究课题。

周久人(左)在IEDM2016国际会议上与加州大学伯克利分校SayeefSalahuddin教授(右)合影

本期的研途先锋将走进微电子学院2015级博士研究生周久人。周久人师从郝跃院士和韩根全教授,目前,在郝跃院士团队的新型微纳米CMOS器件课题组做研究。2016年12月,周久人在2016年IEEE International Electron Devices Meeting(简称IEDM)上,口头报告了团队的最新研究论文《Ferroelectric HfZrOx Ge and GeSn PMOSFETs with Sub-60 mV/decade Subthreshold Swing, Negligible Hysteresis, and Improved IDS》。IEDM是国际微电子器件领域的顶级会议,也是IEEE旗下的两个王牌会议之一,在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力,被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。该研究论文在IEDM上发表,标志着西安电子科技大学在先进微电子器件研究领域正逐步走向世界前列。今天让我们共同聆听他的心路历程。

【人物故事】

从大学本科到攻读博士,这个重庆小伙已经在西电求学六余载,他本科期间多次获得学校奖学金以及“优秀学生干部”、“优秀毕业生”等荣誉称号,并以优异的成绩投入郝跃院士门下攻读博士,从此开始了他的科研之路。

谈到专业领域,周久人显得格外激动。他介绍道,摩尔定律推动了信息化现代的高速发展,而我所从事的研究正是摩尔定律延伸的脚步。2016年12月,我代表团队赴美国旧金山参加了国际电子器件会议IEDM2016,口头报告了我们团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)研究领域取得的突破性成果,研究成果引发了加州大学伯克利分校、东京大学以及台湾国立大学等单位相关研究组的极大兴趣,并进行了深入研讨。

厚积薄发,是对周久人同学最好的诠释。他脚踏实地,从熟悉各种实验设备、实验流程开始到真正将所学付诸于具体实验过程,历经了一年多的时间。这期间,他善于思考,勤于钻研,查阅了大量相关文献资料及研究成果,不断充实和完善自己的理论知识储备;在有所思,有所疑时,他经常与导师进行学术探讨,并从中获得研究思路与灵感。研究生期间,他成功申请了多项专利,参加多次国际学术会议,诸如第三届国际ALD应用会议暨2016届中国ALD大会等,并作口头报告。

他始终铭记郝跃院士的教诲“志存高远者必脚踏实地”,秉承不怕苦不怕累,踏实勤奋的工作劲头,埋头于实验中,常常忘记了时间熬夜到凌晨,出实验室才发现早已汗流浃背。然而,这些常人不愿忍受的枯燥与辛苦,带给他的却不是烦恼,反而从中获得了更多的科研乐趣。他享受其中,乐在其中。

【他人眼中】

自信幽默,踏实严谨。

在同窗好友张少航眼中,周久人是一个自信幽默却又不失严谨的“好战友”。生活中,他总是笑容满面,待人处事不卑不亢,性格幽默风趣,乐于助人,展现给大家一种积极阳光的姿态;科研时,周久人凭借自身深厚的专业知识储备和丰富的实验经验,能够深入思考,冷静处理和攻克在实验中遇到的问题和难关,在实验中发挥了先进带头作用。

【导师评价】

立志高远,踏实肯干。

郝跃院士的眼中,周久人是一个立志高远而又脚踏实地的学生。他评价到:“周久人同学有着高远的目标,敢于与学术前沿问题‘硬碰硬’,始终追求对当前研究水平的不断超越。关键是他在实验中不怕吃苦、踏实肯干和认真严谨的科研精神,更是他取得突破性科研成果的重要基石。”

【他这样说】

仰望星空,脚踏实地。

“海阔凭鱼跃,天高任鸟飞”立志高远,追求卓越,是我一直以来所坚持的信念。为自己树立更远大的目标,既不局限于眼前的事与物,也不满足于过去获得的成绩,追求梦想,期望站在更高水平的平台之上。然而,脚踏实地是实现追求的基础,做实验的过程中,需要耗费大量的体力与精力,熬夜到凌晨已经成为一种常态。我认为“耐得住,扛得住”是一名科研工作者的基本素质。只有一丝不苟地计划好每一道工序,踏踏实实地做好每一步实验,多读书,多思考,掌握新知识,开拓思维,才能真正有所进步。

提到获得的成绩,周久人同学谦虚地表示,成绩是团队共同合作的成果,他要做的还有很多。他非常诚恳地说道:“科研路上离不开恩师的指导,非常感谢我的导师郝跃院士高瞻远瞩的发展远见,他是引导我科研方向的指路明灯!同时,还要感谢课题组的韩根全老师和张春福老师在实验过程中给予的悉心指导和帮助,以及张进成老师对于实验项目的鼎力支持。我会脚踏实地,走好每一步,争取取得更多高水平的创新成果。”

责任编辑:付一枫
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