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韩根全:“没有理想和情怀,就做不了科研”
时间:2017-05-15 08:44:40来源:中国教育报点击:

“没有理想和情怀,就做不了科研”

——记西安电子科技大学教授韩根全

■本报记者 冯丽 通讯员 付一枫

多年没有像样的科研成果,好几次差点放弃学术研究,借着锗锡材料出现的东风,他迎来科研的转折点,在国际上首次制备出高性能锗锡CMOS(互补金属氧化物半导体)器件,实现了多个世界“首次”和最高纪录。他就是国家优秀青年科学基金获得者、西安电子科技大学微电子学院教授韩根全。

“没有理想和情怀,就做不了科研。”走过科研的低谷,韩根全说自己靠的就是“理想”和“情怀”两样法宝。

“站得不高、看得不远,再勤奋也没用”

韩根全本科就读于清华大学材料科学与工程系,在旁听了一堂半导体物理课后,他对半导体器件方向产生浓厚兴趣,并进入中科院半导体所读直博。其间,他却没做出什么像样的成果,仅仅调试了5年材料外延生长设备。设备一次次出问题,他一次次跟维修师傅熬通宵查找症结,最终“长”出了一片又一片硅片锗片,给师弟们留下了一台性能优异的材料生长设备。

但这些实实在在、浩繁复杂的工作并不能体现到论文上,临近毕业,韩根全感到这5年的时光虚度了。然而,世上没有白费的努力,韩根全日后才深深体会到这点。

本科到博士,韩根全度过了一段勤奋而迷茫的时期。“无论如何努力都出不了成果,好几次差点放弃做研究。”直到去新加坡国立大学读博士后,他才找到了问题的症结,“站得不高、看得不远,对方向的选择和把握不足,再勤奋也没用”。

韩根全最终转向了微电子器件方向,并借着锗锡材料的东风,开始驶入科研高速路。2013年,成果优异的韩根全谢绝导师提薪晋职的挽留,回国来到了西安电子科技大学。

“失败中积累的很多东西都派上了用场”

初到新加坡国立大学,韩根全在导师指导下开始了以硅为材料的隧穿晶体管研究。从无论如何都达不到实验要求,到在微电子器件领域产生一些影响,韩根全用了5年时间。

“团队成员都很优秀,实验条件也很优越,但头3年,我们怎么做也不出成绩。不仅我的研究生涯面临结束,团队成员也陷入可能毕不了业的窘境,这让我很崩溃。”

关键时候,转折点出现了。如韩根全当年博士毕业时所预料的那样,中科院半导体所那台他调试了5年的设备上,“长”出了新的高质量锗锡材料。这一发现顿时让韩根全的科研之路柳暗花明,他做出了突破性、开创性的成果。

到西安电子科技大学加入郝跃院士课题组后,韩根全研究的重点依然是锗基沟道CMOS器件这一国际微电子前沿领域。2014年,他的团队获得了锗锡p沟道晶体管空穴迁移率国际最高纪录,比硅器件提高了5倍以上。2016年,他的团队实现高迁移率应变锗p沟道晶体管,比硅器件迁移率提高18倍。

“我们万事俱备,只欠东风,而锗锡就是东风。先前在失败中积累的很多东西在锗锡出现后都派上了用场。”韩根全说,“在逆境中学会积累,迟早会有突破。”

“重要的是学生真正进步,发论文只是副产品”

韩根全从2013年开始在国内带研究生,至今学生已发表高水平SCI(科学引文索引)论文几十篇,多次在国际会议作口头报告,获国家级奖励8人次。有研究生获得国际学术会议最佳学生论文奖,更有学生登上国际微电子学界王牌会议演讲台。

第一次参加国际会议的学生们往往紧张到吃不下饭。韩根全安慰说:“哪怕站在台上20分钟一句话不说也没关系。”渐入佳境的学生们最终作出了一场场出色的口头报告。

“本年度计划送10人次出国开会。”韩根全说,“想到可以去国际会议作口头报告,学生们很开心,做得也带劲,就容易出成果。”

被许多人看重的论文发表数量,在韩根全这里倒成为次要,“重要的是学生真正进步,发论文只是副产品”。

韩根全再次提起“理想”和“情怀”,“这两个词对年轻学者来说很重要,成功与否、钱多钱少不重要,但要对得起国家、对得起学校、对得起学生”。

来源:《中国教育报》5月13日02版

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韩根全:“没有理想和情怀,就做不了科研”
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“没有理想和情怀,就做不了科研”

——记西安电子科技大学教授韩根全

■本报记者 冯丽 通讯员 付一枫

多年没有像样的科研成果,好几次差点放弃学术研究,借着锗锡材料出现的东风,他迎来科研的转折点,在国际上首次制备出高性能锗锡CMOS(互补金属氧化物半导体)器件,实现了多个世界“首次”和最高纪录。他就是国家优秀青年科学基金获得者、西安电子科技大学微电子学院教授韩根全。

“没有理想和情怀,就做不了科研。”走过科研的低谷,韩根全说自己靠的就是“理想”和“情怀”两样法宝。

“站得不高、看得不远,再勤奋也没用”

韩根全本科就读于清华大学材料科学与工程系,在旁听了一堂半导体物理课后,他对半导体器件方向产生浓厚兴趣,并进入中科院半导体所读直博。其间,他却没做出什么像样的成果,仅仅调试了5年材料外延生长设备。设备一次次出问题,他一次次跟维修师傅熬通宵查找症结,最终“长”出了一片又一片硅片锗片,给师弟们留下了一台性能优异的材料生长设备。

但这些实实在在、浩繁复杂的工作并不能体现到论文上,临近毕业,韩根全感到这5年的时光虚度了。然而,世上没有白费的努力,韩根全日后才深深体会到这点。

本科到博士,韩根全度过了一段勤奋而迷茫的时期。“无论如何努力都出不了成果,好几次差点放弃做研究。”直到去新加坡国立大学读博士后,他才找到了问题的症结,“站得不高、看得不远,对方向的选择和把握不足,再勤奋也没用”。

韩根全最终转向了微电子器件方向,并借着锗锡材料的东风,开始驶入科研高速路。2013年,成果优异的韩根全谢绝导师提薪晋职的挽留,回国来到了西安电子科技大学。

“失败中积累的很多东西都派上了用场”

初到新加坡国立大学,韩根全在导师指导下开始了以硅为材料的隧穿晶体管研究。从无论如何都达不到实验要求,到在微电子器件领域产生一些影响,韩根全用了5年时间。

“团队成员都很优秀,实验条件也很优越,但头3年,我们怎么做也不出成绩。不仅我的研究生涯面临结束,团队成员也陷入可能毕不了业的窘境,这让我很崩溃。”

关键时候,转折点出现了。如韩根全当年博士毕业时所预料的那样,中科院半导体所那台他调试了5年的设备上,“长”出了新的高质量锗锡材料。这一发现顿时让韩根全的科研之路柳暗花明,他做出了突破性、开创性的成果。

到西安电子科技大学加入郝跃院士课题组后,韩根全研究的重点依然是锗基沟道CMOS器件这一国际微电子前沿领域。2014年,他的团队获得了锗锡p沟道晶体管空穴迁移率国际最高纪录,比硅器件提高了5倍以上。2016年,他的团队实现高迁移率应变锗p沟道晶体管,比硅器件迁移率提高18倍。

“我们万事俱备,只欠东风,而锗锡就是东风。先前在失败中积累的很多东西在锗锡出现后都派上了用场。”韩根全说,“在逆境中学会积累,迟早会有突破。”

“重要的是学生真正进步,发论文只是副产品”

韩根全从2013年开始在国内带研究生,至今学生已发表高水平SCI(科学引文索引)论文几十篇,多次在国际会议作口头报告,获国家级奖励8人次。有研究生获得国际学术会议最佳学生论文奖,更有学生登上国际微电子学界王牌会议演讲台。

第一次参加国际会议的学生们往往紧张到吃不下饭。韩根全安慰说:“哪怕站在台上20分钟一句话不说也没关系。”渐入佳境的学生们最终作出了一场场出色的口头报告。

“本年度计划送10人次出国开会。”韩根全说,“想到可以去国际会议作口头报告,学生们很开心,做得也带劲,就容易出成果。”

被许多人看重的论文发表数量,在韩根全这里倒成为次要,“重要的是学生真正进步,发论文只是副产品”。

韩根全再次提起“理想”和“情怀”,“这两个词对年轻学者来说很重要,成功与否、钱多钱少不重要,但要对得起国家、对得起学校、对得起学生”。

来源:《中国教育报》5月13日02版

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